ARDIS 300
Установка микроволнового плазменно-химического осаждения из газовой фазы для роста моно- и полискристаллических алмазов
Выращено наукой,
проверено временем
Разрабатываем и производитим установки для синтеза алмазов методом химического осаждения из газовой фазы с 2005 года
С момента выпуска первых установок мы накапливаем и систематизируем уникальные знания о процессе CVD-синтеза. Это позволяет нам не только совершенствовать технические решения, но и предвидеть вызовы, с которыми сталкиваются наши клиенты.
Многолетняя эксплуатация оборудования в промышленных и исследовательских условиях позволяет гарантировать его технологическую зрелость, стабильность процессов и соответствие актуальным требованиям к синтезу функциональных углеродных материалов.
Области применения
Предназначен для осаждения из газовой фазы поли-, моно- и нанокристаллических алмазных пленок, а также углеродных нанотрубок для различных сфер применения
Плазмохимический синтез алмаза
Выращивание алмазов методом осаждения из газовой фазы позволяет получить алмазные образцы недоступных ранее размеров, особой чистоты, обладающие уникальным набором электронных, оптических, тепловых, механических свойств.
До 6 кВт
Мощность СВЧ-источника,
частота 2.45 ГГц
Процесс осаждения алмаза
из газовой фазы
В вакуумную камеру подается смесь метана (CH₄) и водорода (H₂) в соотношении несколько процентов углеводорода к водороду
Контроль в режиме реального времени
Полностью автоматизированный мониторинг и удалённая диагностика процесса роста с видеоконтролем в реальном времени.
600–1400 °C
Контроль температуры подложки в диапазоне 600–1400 °C. Высокоточное измерение температуры
Стабильная плазма
Для широкого диапазона давлений, мощности и геометрии подложкодержателя
20–300 торр
Большой диапазон рабочего давления, существенно повышающий скорость роста моноалмаза
Технические характеристики
Основные технические параметры установки ARDIS 300
Документы и публикации
Условия в помещении
Требования к помещению для установки и эксплуатации оборудования ARDIS 300
